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DHHM-J懸式復合絕緣子灰密度測試儀

DHHM-J懸式復合絕緣子灰密度測試儀

型 號:
報 價(jià): 20000

DHHM-J懸式復合絕緣子灰密度測試儀適用于架空線(xiàn)路、發(fā)電廠(chǎng)、變電所等外絕緣設備污垢測試,DHHM-H國產(chǎn)絕緣子灰密測試儀又稱(chēng)絕緣子灰密測試儀專(zhuān)為測量絕緣子灰密度值而設計,國產(chǎn)絕緣子灰密測試儀包含快速過(guò)濾裝置、精密電子天平、恒溫干燥箱和測量附件等部分,國產(chǎn)絕緣子灰密測試儀快速過(guò)濾裝置精心設計指針式人機交互界面,美觀(guān)簡(jiǎn)潔;

更新時(shí)間:2023-11-11

詳細資料:

產(chǎn)地類(lèi)別國產(chǎn)

DHHM-J懸式復合絕緣子灰密度測試儀

絕緣子灰密測試儀適用于架空線(xiàn)路、發(fā)電廠(chǎng)、變電所等外絕緣設備污垢測試,DHHM-H國產(chǎn)絕緣子灰密測試儀又稱(chēng)絕緣子灰密測試儀專(zhuān)為測量絕緣子灰密度值而設計,國產(chǎn)絕緣子灰密測試儀包含快速過(guò)濾裝置、精密電子天平、恒溫干燥箱和測量附件等部分,國產(chǎn)絕緣子灰密測試儀快速過(guò)濾裝置精心設計指針式人機交互界面,美觀(guān)簡(jiǎn)潔;絕緣子灰密度測試儀配套的灰密測量分析軟件;絕緣子灰密測試儀采用多抽頭,操作便捷。。

國產(chǎn)絕緣子灰密測試儀標準及技術(shù)規范:GB/T5582-1993

DHHM-H國產(chǎn)絕緣子灰密測試儀又稱(chēng)絕緣子灰密度測試儀,國產(chǎn)絕緣子灰密測試儀專(zhuān)為測量絕緣子灰密度值而設計,國產(chǎn)絕緣子灰密測試儀的主要功能是測量絕緣子灰密度的值,用戶(hù)據此判斷絕緣子的污穢程度。用戶(hù)需要根據實(shí)際情況設定絕緣子表面積、溶液體積等參數。國產(chǎn)絕緣子灰密測試儀遵照多種標準的規定和要求,國產(chǎn)絕緣子灰密測試儀適用于高線(xiàn)架空線(xiàn)路、發(fā)電廠(chǎng)、變電所等場(chǎng)所外絕緣設備的灰密度測試。國產(chǎn)絕緣子灰密測試儀包含快速過(guò)濾裝置、精密電子天平、恒溫干燥箱和測量附件等部分:

1、快速過(guò)濾裝置:精心設計指針式人機交互界面,美觀(guān)簡(jiǎn)潔;配套國產(chǎn)絕緣子灰密測試儀軟件;采用多抽頭,操作便捷。

2、精密電子電平:具有數字化多點(diǎn)線(xiàn)性修正和多點(diǎn)漂移修正功能。具有多種測量模式供選擇;能開(kāi)機自檢、外部校準、自動(dòng)屏保;采用全透明密封罩制作,外形美觀(guān),使用方便。

3、恒溫干燥箱:具有溫度自整定、智能控制功能??杀3窒鋬群銣?;工作室采用"冷熱空氣對流"技術(shù),保證箱內空氣自動(dòng)變換;具有大玻璃示窗、數碼管顯示,便于觀(guān)察和操作;多層擱版,可一次性干燥多個(gè)試品。

DHHM-J懸式復合絕緣子灰密度測試儀標準

1、Q/GDW152—2006《高壓架空線(xiàn)路和變電站環(huán)境污區分級及外絕緣選擇標準》
2、GB/T16434—200*《污穢條件下高壓絕緣子的選擇和尺寸確定第1部分:定義、信息和一般原則》
3、GB/T4585-2004/IEC60507:1991《交流系統用高壓絕緣子的人工污穢實(shí)驗》
4、GB/T5582-93《高壓電力設備外絕緣污穢等級》
5、IEC60815-2004

參數

型號:DHHM-H
名稱(chēng):國產(chǎn)絕緣子灰密測試儀
灰密度測試儀參數快速過(guò)濾裝置精密電子天平恒溫干燥箱
電源AC220V ±10% 50HzAC220V ±10% 50HzAC220V ±10% 50Hz
功率180W≤ 15W≤ 600W
測量范圍泵排量:90L/min;   單嘴抽氣率:10L/min稱(chēng)量范圍:0~200g控溫范圍:5℃~250℃
精度/0.1mg1℃
環(huán)境溫度0~50℃0~50℃0~50℃
體積400mm×285mm×420mm350mm×215mm×340mm520mm×320mm×430mm
重量約5Kg約6.8Kg約20Kg

術(shù)語(yǔ)解釋

灰密度(NSDD): 絕緣子單位絕緣表面上清洗的非可溶殘留物除以表面積,一般表示為mg/ 。
附鹽密度(SDD):人工涂覆于給定絕緣子表面(不包括金屬部件和裝配材料)上的氯化鈉總量除以表面積,一般表示為mg/ 。
等值附鹽密度(ESDD):絕緣子單位絕緣表面上的等值附鹽量,一般表示為mg/ 。
爬電距離:在兩個(gè)導電部分之間,沿絕緣體表面的zui短距離。
統一爬電距離(USCD):絕緣子的爬電距離L除以試驗電壓與 的積,一般表示為mm/kV。
污穢層: 由鹽和惰性材料組成的絕緣子表面上的導電電解層。
現場(chǎng)污穢度等級:將污穢嚴重程度從非常輕到非常嚴重按SPS(ESDD/NSDD的zui大值)的分級。


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